7月1日，国晶半导体年产1000吨大尺寸硅单晶项目在稀土高新区开工奠基。

该项目占地约177亩，将建设约5万平方米的单晶厂房，配置140个单晶炉位，计划于2027年12月正式投产。达产后可形成年产集成电路硅片、集成电路刻蚀设备用单晶硅1000吨以上产能。产品将广泛应用于集成电路硅片、刻蚀设备用硅零部件等关键领域。

当前，稀土高新区硅基产业以光伏级硅材料为主，已形成规模化产能优势。有研半导体硅材料股份公司作为国内硅材料行业头部企业，率先实现6英寸、8英寸硅片产业化和12英寸硅片技术突破，技术实力雄厚。该项目的落地将精准填补稀土高新区硅产业链中下游空白，推动硅产业从光伏低端赛道向半导体高端赛道转型，助力突破高端电子材料“卡脖子”难题，同时，将依托企业技术与品牌效应，吸引上下游配套企业、高端人才集聚，提升稀土高新区产业核心竞争力。

稀土高新区作为国家首批零碳园区，具备交通便利、工业基础雄厚、营商环境优越等综合优势。下一步，该区将强化用地、用电、政策等全要素保障，开辟审批绿色通道，全力推动项目早竣工、早投产、早达效。