基于碳化硅的电力电子器件已广泛地应用于航空航天、新能源汽车、轨道交通、光伏发电、智能电网等领域。当前主流的碳化硅单晶与外延生长还处于6英寸阶段，扩大尺寸成为产业链降本增效的主要路径，然而在迈向8英寸过程中还存在诸多技术难题。

据厦大物理3月17日公布，厦门大学与瀚天天成电子科技(厦门)有限公司等单位产学研合作，成功实现基于国产衬底的8英寸（200mm）碳化硅（SiC）同质外延生长。

外延层厚度为12μm，厚度不均匀性为2.3%；掺杂浓度为8.4×1015cm-3，掺杂浓度不均匀性＜7.5%；表面缺陷（Carrot、Triangle、Downfall、Scratch）密度＜0.5cm-2。

厦门大学长期致力于III族氮化物、碳化硅等宽禁带半导体的研究，多年来不断促进我国宽禁带半导体的发展，为产业培养了大批的创新人才。厦门大学科研团队负责人表示，通过克服了8英寸衬底应力更大、更易开裂、外延层厚度均匀性更难控制等问题，成功实现了基于国产衬底的碳化硅同质外延生长。